收藏本站
SUB75P03-07, SUP75P03-07
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
1.8
1.5
V GS = 10 V
I D = 30 A
100
T J = 150 °C
1.2
0.9
10
0.6
T J = 25 °C
0.3
0
1
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1000
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
45
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
100
10
1
0.1
I AV (A) at T A = 150 °C
I AV (A) at T A = 25 °C
40
35
30
25
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
www.vishay.com
4
t in (s)
Avalanche Current vs. Time
T J - Junction Temperature (°C)
Drain Source Breakdown
vs. Junction Temperature
Document Number: 71109
S10-2429-Rev. E, 25-Oct-10
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SUP90N08-7M7P-E3 MOSFET N-CH D-S 75V TO220AB
SUP90P06-09L-E3 MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB
SUV85N10-10-E3 MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB
SV-LED-125E HEATSINK DEGREASED 25.4MM
SV21C201BJA01B00 ROTARY POS SENSOR 200 DEGREE
SX1210I084T IC SINGLE-CHIP RECEIVER 32-TQFN
SX1211SK915 KIT STARTER FOR SX1211 915MHZ
SX1211SKA915 KIT STARTER FOR SX1211 915MHZ
相关代理商/技术参数
SUP75P03-08 功能描述:MOSFET 30V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUP75P03-08-E3 功能描述:MOSFET 30V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUP75P05-08 功能描述:MOSFET 55V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUP75P05-08 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P TO-220
SUP75P05-08-E3 功能描述:MOSFET 55V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUP75P05-08-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CH MOSFET, -55V, 75A, TO-220AB
SUP80N15-20L 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 150-V (D-S) 175∑C MOSFET
SUP85N02-03 功能描述:MOSFET 20V 85A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube